Р. В. Левин, В. Н. Неведомский, Б. В. Пушный, Н. А. Берт, М. Н. Мизеров, “Сверхрешетки InAs/GaSb, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 2016, том 42, выпуск 2,страницы 79

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Сверхрешетки InAs/GaSb, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии

Р. В. Левин^ab, В. Н. Неведомский^a, Б. В. Пушный^ab, Н. А. Берт^a, М. Н. Мизеров^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Экспериментально показана возможность изготовления сверхрешеток на основе InAs/GaSb с напряженными слоями методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Исследования изготовленной структуры методами просвечивающей микроскопии и фотолюминесценции показали, что получена сверхрешетка InAs–GaSb на подложке GaSb с толщинами слоев InAs 2 nm и GaSb 3.3 nm.

Поступила в редакцию: 14.08.2015