Электронный транспорт в модельных квазидвумерных ван-дер-ваальсовых наноустройствах

В рамках теории функционала плотности в приближении локальной плотности и метода неравновесных гриновских функций исследован электронный транспорт в модельном наноустройстве, состоящем из комбинации связанных между собой ван-дер-ваальсовой связью графена, силицена и дисульфида молибдена. Рассчитаны вольт-амперные, $dI/dV$-характеристики и спектры пропускания наноустройств. Выявлено, что комбинация силицена и дисульфида молибдена образует новую наносистему с металлическими свойствами, которые проявляются в ее электротранспортных характеристиках. Показано, что гибридная наноструктура графен–MoS$_2$–силицен обладает выпрямляющими свойствами из-за образования барьера Шоттки, а на ее вольт-амперной характеристике при положительном напряжении возникают ступеньки кулоновского происхождения.