Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)

Исследованы гетероструктуры на основе GaAs, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений и гидридов на виртуальных подложках Ge/Si с использованием зародышевого слоя Al$_x$Ga$_{1-x}$As с различным содержанием алюминия $x$ в твердом растворе. Показано влияние $x$ на плотность и размеры антифазных доменов, выходящих на поверхность образцов, и на оптические свойства слоя GaAs. Для роста использованы подложки (100) с небольшим случайным отклонением от номинальной кристаллографической ориентации 0.7$^\circ$ к [110].