RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив
Письма в ЖТФ, 2021, том 47, выпуск 8, страницы 47–50 (Mi pjtf6568)
Эта публикация цитируется в 1 статье

Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs

Р. Р. Резникa, К. М. Морозовa, И. Л. Крестниковa, К. П. Котлярb, И. П. Сошниковcde, L. Leandrof, N. Akopianf, Г. Э. Цырлинbcdeg

a Innolume GmbH, Dortmund, Germany
b Санкт-Петербургский государственный университет
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
e Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
f DTU Fotonik, Kongens Lyngby, Denmark
g Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Приводятся результаты экспериментальных исследований направленности излучения из квантовых точек GaAs в нитевидных нанокристаллах AlGaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния. Показано, что интенсивность излучения из квантовых точек в направлении роста нитевидных нанокристаллов на два порядка превышает интенсивность излучения в перпендикулярном направлении.

Ключевые слова: полупроводники, нитевидные нанокристаллы, квантовые точки, молекулярно-пучковая эпитаксия, микрофотолюминесценция, направленное излучение.

Поступила в редакцию: 18.01.2021
Исправленный вариант: 27.01.2021
Принята в печать: 27.01.2021

DOI: 10.21883/PJTF.2021.08.50855.18715


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2021, 47:5, 405–408

Реферативные базы данных:

© МИАН, 2024