Фотоприемники глубокого ультрафиолета на основе пленок композита In$_2$O$_3$–Ga$_2$O$_3$

Исследованы фотоэлектрические характеристики пленок композита In$_2$O$_3$–Ga$_2$O$_3$, выращенных методом хлоридной газофазной эпитаксии на сапфировых подложках. Исследованные пленки представляли собой композит кубических фаз $\delta$-Ga$_2$O$_3$ и $c$-In$_2$O$_3$. Результаты для композита In$_2$O$_3$–Ga$_2$O$_3$ сопоставлены с полученными для пленок $\varepsilon(\kappa)$-Ga$_2$O$_3$ и $c$-In$_2$O$_3$, выращенных при близких условиях. Пленки композита In$_2$O$_3$–Ga$_2$O$_3$ демонстрируют наибольшую фоточувствительность, быстродействие и низкое базовое сопротивление. Значения квантовой эффективности составило 6.9 $\cdot$ 10$^3$% при напряженности поля 1 kV/cm, что существенно больше, чем в известной литературе. Предполагается, что высокая фоточувствительность обусловлена генерацией носителей заряда в областях $\delta$-Ga$_2$O$_3$, образованных в пленке $c$-In$_2$O$_3$ с высокой концентрацией электронов.