Влияние температуры роста на физико-химические свойства слоев низкотемпературного GaAs, созданных методом импульсного лазерного напыления

Методом импульсного лазерного напыления получены слои низкотемпературного GaAs приборного качества с высоким удельным сопротивлением. Свойства слоев GaAs чувствительны к температуре процесса. При температуре роста менее 300$^\circ$C слои характеризуются низкими значениями подвижности электронов и смещением стехиометрии GaAs в область обогащения мышьяком на уровне 1–2 at.%. При температуре выращивания более 300$^\circ$C слои показывают улучшенное кристаллическое качество. Зависимость относительной интенсивности фотоэлектронной линии As $3d$ от температуры роста подтверждает указанную тенденцию с изменением температуры роста.