С. А. Минтаиров, С. А. Блохин, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Н. А. Малеев, А. М. Надточий, Р. А. Салий, Н. В. Крыжановская, А. Е. Жуков, “Быстродействующие фотодетекторы на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 2022, том 48, выпуск 4,страницы 32

Быстродействующие фотодетекторы на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs

С. А. Минтаиров^ab, С. А. Блохин^b, Н. А. Калюжный^b, М. В. Максимов^a, Н. А. Малеев^b, А. М. Надточий^ac, Р. А. Салий^b, Н. В. Крыжановская^c, А. Е. Жуков^c

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^c Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы быстродействующие фотодетекторы на основе наноструктур InGaAs/GaAs квантовые ямы-точки. Продемонстрирована полоса пропускания $\sim$8.2 GHz по уровню -3 dB на длине волны 905 nm. Показано, что скорость внутренних процессов в исследуемых наноструктурах позволяет создавать фотодетекторы с полосой пропускания до 12.5 GHz, а процессы термического выброса носителей из слоев квантовых ям-точек не ограничивают быстродействие при обратных смещениях более 5 V.

Ключевые слова: фотодетектор, быстродействие, частотный отклик, наноструктуры.

Поступила в редакцию: 22.10.2021
Исправленный вариант: 16.11.2021
Принята в печать: 17.11.2021

DOI: 10.21883/PJTF.2022.04.52082.19059