Электронный транспорт в одиночных коллоидных квантово-размерных частицах в межэлектродном нанозазоре

По вольт-амперным характеристикам одиночных коллоидных квантово-размерных частиц полупроводников InSb, PbS, HgSe, CdSe в межэлектродном нанозазоре на случайных выборках определены и исследованы механизмы барьерного и резонансного туннелирования, кулоновского ограничения, квазипериодического модулирования электронного транспорта в модели глубокой протяженной потенциальной ямы в зависимости от соотношений размера частицы и длины волны де Бройля для электрона. Экспериментально подтверждена возможность проявления блоховских осцилляций. Определены параметры всех исследованных процессов.