RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Письма в Журнал технической физики
// Архив
Письма в ЖТФ,
1985
, том 11,
выпуск 1,
страницы
49–52
(Mi pjtf741)
Эффект переключения проводимости с памятью в структуре
$Al-Gd_2\,O_3-Si$
В. А. Рожков
,
А. И. Петров
Куйбышевский государственный университет
Поступила в редакцию:
03.07.1984
Полный текст:
PDF файл (1693 kB)
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2024