RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 1985, том 11, выпуск 1, страницы 49–52 (Mi pjtf741)

Эффект переключения проводимости с памятью в структуре $Al-Gd_2\,O_3-Si$

В. А. Рожков, А. И. Петров

Куйбышевский государственный университет

Поступила в редакцию: 03.07.1984



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024