RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Письма в Журнал технической физики
// Архив
Письма в ЖТФ,
1985
, том 11,
выпуск 18,
страницы
1114–1118
(Mi pjtf995)
Эффект малых доз и деградационная стойкость
$In_x\,Ga_{1-x}\,As:Si$
светоизлучающих диодов
Т. В. Торчинская
,
Г. Н. Семёнова
,
Т. Г. Бердинских
Институт полупроводников АН УССР, Киев
Поступила в редакцию:
25.06.1985
Полный текст:
PDF файл (1497 kB)
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2024