Аннотация:
Исследована температурная зависимость предела текучести $\tau_*$ монокристаллов Ni$_3$Ge. Установлено, что температурная зависимость $\tau_*(T)$ в высокотемпературной области (свыше 420 К) обусловлена термоактивированным накоплением плотности невинтовых компонентов сверхдислокаций. Проведен анализ взаимодействия точечных дефектов с краевыми дислокациями и его влияния на температурную аномалию предела текучести монокристаллов Ni$_3$Ge. Результаты расчетов удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными.