Моделирование спектра излучения молекулы $\mathrm{SiH}$ $(\mathrm{A}^2\Delta\to\mathrm{X}^2\Pi)$ и измерение вращательной температуры состояния $\mathrm{A}^2\Delta$ в электронно-пучковой плазме

Выполнено численное моделирование эмиссионного спектра полосы $0$–$0$ перехода $\mathrm{A}^2\Delta\to\mathrm{X}^2\Pi$ молекулы $\mathrm{SiH}$. Полученные результаты хорошо согласуются с известными расчетными и экспериментальными данными. Путем сравнения расчетного и экспериментального спектров определена вращательная температура состояния $\mathrm{A}^2\Delta$ молекулы $\mathrm{SiH}$ в свободной струе чистого моносилана $(\mathrm{SiH}_4)$ и смеси с гелием $(\mathrm{He} + \mathrm{SiH}_4)$, активированной электронным пучком. Подтверждено предположение о том, что излучение молекулы $\mathrm{SiH}$ возникает в результате диссоциативного возбуждения $\mathrm{SiH}_4$ электронным ударом.
Приведены значения вращательной температуры при различных концентрациях моносилана и расстояниях от сопла. В полученных спектрах зарегистрировано излучение иона кремния с длинами волн $412,807$; $413,089$ нм.