Моделирование теплообмена в расплаве при выращивании монокристаллов методом Стокбаргера с использованием ACRT

На модельных экспериментах показано, что определяющим для выращивания кристаллов методом Стокбаргера в условиях вынужденной конвекции и регулирующим процесс кристаллизации является слой расплава, заключенный между фронтом кристаллизации и нагревателем диафрагмы ростовой печи. Свободный объем расплава не влияет на его гидродинамическую и тепловую структуры. Оценены оптимальные временные значения выдержки при постоянных максимальной и минимальной скоростях модулированного вращения ростовой ампулы.