Аннотация:
Проведено определение плотности тока термоавтоэлектронной миссии в плазму с учетом дискретности распределения заряда в прикатодном слое ($I$ – $F$ – $T$- и $I$ – $T$ – $F$-эмиссии). Показано, что плотности токов $I$ – $F$ – $T$- и $I$ – $T$ – $F$-эмиссий могут значительно превосходить плотность тока термоавтоэлектронной эмиссии в вакуум при одинаковом значении напряженности электрического поля на поверхности катода. Получено, что плотности ионов $I$ – $F$ – $T$- и $I$ – $T$ – $F$ увеличиваются с ростом прикатодного падения потенциала при прочих равных условиях.