Определение коэффициентов поглощения плазмы канала разряда в твердом диэлектрике

Методом просвечивания исследуемого объекта светом от источника с известными характеристиками измерены коэффициенты поглощения искрового канала, возбужденного в кристалле KCl. Определены значения яркостной температуры искрового канала в предположении модели абсолютно черного тела, а также с поправкой на действительную излучательную способность.