RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 5, страница 422 (Mi qe100)

Лазеры

Оценка степени устойчивости непрерывных InGaAsP- и GaAlAs-гетеролазеров к деградации при старении и облучении

А. А. Кочетков


Аннотация: Исследована деградация GaAlAs- и InGaAsP-гетеролазеров при старении и облучении потоком быстрых частиц. Определен параметр, являющийся информативным показателем кинетики этих процессов.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 42.88.+h

Поступила в редакцию: 10.08.1993


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1994, 24:5, 389

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024