RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Квантовая электроника
// Архив
Квантовая электроника,
1994
, том 21,
номер 5,
страница 422
(Mi qe100)
Лазеры
Оценка степени устойчивости непрерывных InGaAsP- и GaAlAs-гетеролазеров к деградации при старении и облучении
А. А. Кочетков
Аннотация:
Исследована деградация GaAlAs- и InGaAsP-гетеролазеров при старении и облучении потоком быстрых частиц. Определен параметр, являющийся информативным показателем кинетики этих процессов.
PACS:
42.55.Px
,
42.60.Lh
,
42.88.+h
Поступила в редакцию:
10.08.1993
Полный текст:
PDF файл (90 kB)
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1994,
24
:5,
389
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2024