Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, А. Н. Лапшин, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, “Инжекционный гетеролазер на основе четырехкомпонентного твердого раствора InGaAsSb”, Квантовая электроника, 5:3 (1978), 703

Эта публикация цитируется в 19 статьях

Краткие сообщения

Инжекционный гетеролазер на основе четырехкомпонентного твердого раствора InGaAsSb

Л. М. Долгинов^ab, Л. В. Дружинина^ab, П. Г. Елисеев^ab, А. Н. Лапшин^ab, М. Г. Мильвидский^ab, Б. Н. Свердлов^ab

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР
^b Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности, Москва

Аннотация: Получена генерация на длине волны около 1,9 мкм в гетероструктуре CaSb/InGaAsSb/GaSb при токе инжекции плотностью 900 А/см² при 90 K.

УДК: 621.382.3

PACS: 42.55.Px, 73.40.Lq

Поступила в редакцию: 01.12.1977