RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 4, страницы 926–928 (Mi qe10076)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Краткие сообщения

Влияние лазерного излучения на прилипание электронов к молекулам

И. М. Бетеров, В. П. Чеботаев, Н. В. Фатеев, Д. В. Яковин

Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирск

Аннотация: Сообщается об экспериментальном наблюдении изменения концентрации отрицательных ионов в газе SF6 в присутствии излучения CO2-лазера. Наблюдаемый эффект обусловлен изменением коэффициента прилипания и резонансной энергии электронов. Обсуждается возможность использования явления для лазерного разделения изотопов.

УДК: 621.378.33

PACS: 33.80.Eh, 28.60.+s

Поступила в редакцию: 07.09.1977


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, 8:4, 533–534


© МИАН, 2024