RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 3, страницы 664–666 (Mi qe10098)

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Краткие сообщения

О механизме модуляции добротности лазера посредством внутрирезонаторного вынужденного рассеяния

В. И. Безродныйab, Ф. И. Ибрагимовab, В. И. Кисленкоba, Р. А. Петренкоab, В. Л. Стрижевскийba, Е. А. Тихоновba

a Институт физики АН УССР, Киев
b Киевский государственный университет им. Т. Г. Шевченко

Аннотация: Экспериментально исследована модуляция добротности лазерного резонатора, основанная на внутрирезонаторном ВРМБ. Показано, то снижение высокой начальной добротности резонатора путем искажения поперечной структуры излучения (например, подбором активного элемента низкого оптического качества) приводит к появлению эффективной модуляции добротности вследствие обращения волнового фронта при ВРМБ. При использовании в качестве активной среды $YAG:Nd^{3+}$ наблюдалась генерация одиночных гигантских импульсов длительностью 25-30 нс, пиковой мощностью 0,3-0,5 МВт и частотой следования до 100 Гц без прокачки рассеивающего вещества модулятора.

УДК: 621.378.325

PACS: 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 08.10.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:3, 382–383

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024