RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 4, страницы 868–874 (Mi qe10123)

Эта публикация цитируется в 1 статье

О значениях электронной плотности в лазерном факеле

Е. Н. Рагозин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Проведен анализ измерений профилей плотности и скорости и исследован ионный состав плазмы в лазерном факеле по спектрам многозарядных ионов в далекой В УФ области спектра. Высказана гипотеза о наличии скачка разрежения (дефлаграции) в окрестности критической точки вследствие аномально малых значений электронной теплопроводности. Гипотеза позволяет с единой точки зрения объяснить низкие значения электронной плотности в короне, в том числе в точке Жуге, высокие значения электронной температуры и низкую скорость испарения вещества мишени, а также разрыв между электронной и ионизационной температурами.

УДК: 621.039.66+621.375.826

PACS: 52.50.Jm

Поступила в редакцию: 03.10.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:4, 493–497

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024