Задержанное вынужденное послесвечение ионов гольмия в кристаллах с соактиваторами

Обнаружено и исследовано задержанное вынужденное послесвечение ионов гольмия в кристаллах $\alpha\beta-SrF_2-YF_3$ в виде нескольких серий пичков излучения, разделенных темповыми промежутками, после действия одного импульса накачки. Эффект объяснен особенностями механизма заселения верхнего рабочего уровня генерирующего иона гольмия в присутствии ионов-сенсибилизаторов. Показано, что для наблюдения эффекта необходимо наличие в системе метастабильного уровня, передача энергии с которого на рабочий уровень обеспечивает автономную систему “подкачки” ионов гольмия за времена, намного превышающие длительность импульса накачки.