RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 5, страницы 1103–1105 (Mi qe10219)

Краткие сообщения

Генерация паров пара-кватерфенила при накачке излучением $XeCl^*$-лазера

В. И. Данилова, К. М. Дегтяренко, В. В. Грузинский, Т. Н. Копылова, Г. В. Майер, В. Ф. Тарасенко

Институт сильноточной электроники СО АН СССР, Томск

Аннотация: Предложен новый подход к поиску активных сред на основе теоретического исследования спектрально-люминесцентных и генерационных свойств органических молекул. Получена генерация пара-кватерфенила в газовой фазе ($\lambda_{\operatorname{ген}}=361,5$ нм) с низким пороговым уровнем накачки (1,1 МВт/см${}^2$). Предсказана генерационная способность некоторых замещенных пара-кватерфенила.

УДК: 621.378:621.373

PACS: 42.55.Hq

Поступила в редакцию: 14.11.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:5, 631–632

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024