RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 5, страницы 1110–1112 (Mi qe10223)

Краткие сообщения

Высокоэффективная фазовая запись голограмм на халькогенидных пленках в области повышенных температур

В. Е. Карнатовский, В. Г. Ремесник, В. Г. Цукерман

Институт автоматики и электрометрии СО АН СССР, Новосибирск

Аннотация: Обнаружен эффект увеличения чувствительности халькогенидных пленок в области повышенных температур к слабо поглощающемуся свету ($\alpha<10^3$ см${}^{-1}$). Эффект, связанный авторами с термической активацией процесса фотоструктурных превращений, наблюдается в пленках систем $As-S$, $As-S-Se$ и не наблюдается в пленках системы $As-Se$. Показана возможность применения исследованного явления для высокоэффективной записи фазовых голограмм в области температур 100-120 С и не разрушающего считывания при комнатной температуре с помощью излучения одной длины волны ($\lambda=632,8$ или $514,5$ нм).

УДК: 778.38:539.216

PACS: 42.40.Ht

Поступила в редакцию: 09.08.1979
Исправленный вариант: 30.11.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:5, 636–638

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024