RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 12, страницы 2543–2551 (Mi qe10224)

Эта публикация цитируется в 1 статье

О коэффициенте усиления света в реакциях рекомбинации атомов галогенов

И. А. Измайлов, В. А. Кочелап

Институт полупроводников АН УССР, Киев

Аннотация: С использованием экспериментальных данных обсужден радиационный канал реакций рекомбинации атомов галогенов. Показано, что существуют различные типы за­селений возбужденных электронных состояний, образующихся при рекомбинации. Рассчитаны сечения усиления света для различных переходов. Показано, что при концентрациях рекомбинирующих атомов $1-5\cdot10^{18}$ см${}^{-3}$ при температурах, не превышающих 600-800 К, может реализоваться усиление света в ближнем ИК диапазоне порядка $10^{-3}$ см${}^{-1}$.

УДК: 621.378.335

PACS: 42.55.Ks

Поступила в редакцию: 04.04.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:12, 1484–1489

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024