RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 6, страницы 1227–1235 (Mi qe10270)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Эффект Штарка в молекулярных субмиллиметровых лазерах с оптической накачкой

В. Г. Рак, С. Ф. Дюбко

Харьковский государственный университет

Аннотация: Теоретически рассматриваются эффекты, имеющие место в лазерах с оптической накачкой, активная среда которых подвержена воздействию постоянного электрического поля. Обсуждаются возможности перестройки частоты и модуляции интенсивности выходного излучения лазера. Детальные вычисления характеристик усиления активной среды в электрическом поле выполнены для $CH_3F$-лазера на 496 мкм. Показано, что в таком лазере пределы перестройки частоты выходного излучения могут достигать 3 ГГц, если активная среда допускает применение электрических полей с на­пряженностью до 30 кВ/см.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Hq

Поступила в редакцию: 20.10.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:6, 703–708

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024