RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 6, страницы 1350–1351 (Mi qe10303)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Индуцированное излучение электромагнитных волн сверхпроводящими слабосвязанными системами и системами металл–окисел–металл

Э. М. Беленов, С. И. Веденеев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследована возможность создания новых источников индуцированного излучения систем сверхпроводящих джозефсоновских элементов или на основе планарных структур из нормальных металлов (МОМ-диодов). Показано, что для сверхпроводящих генераторов диапазон непрерывной перестройки составляет $10^9-10^{12}$ Гц, а для генераторов на основе МОМ-диодов — до $10^{15}$ Гц.

УДК: 621.373.826

PACS: 42.55.Bi, 74.50.+r, 73.40.Rw

Поступила в редакцию: 09.01.1980
Исправленный вариант: 28.03.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:6, 775–776

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024