RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 6, страницы 1351–1353 (Mi qe10304)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Краткие сообщения

Стойкость кристаллов $YAG$ и $LiNbO_3$ к излучению $YAG:Er^{3+}$-лазера ($\lambda=2,94$ мкм) в режиме гигантских импульсов

Х. С. Багдасаров, Н. В. Белугина, Г. В. Гомелаури, А. А. Маненков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Измерены пороги объемного разрушения $I_d$ кристаллов иттрий-алюминиевого граната, беспримесных и активированных ионами $Er^{3+}$ с различной концентрацией (до 80 вес.%), а также кристаллов $LiNbO_3$ под действием гигантских импульсов излучения $YAG:Er^{3+}$-лазера с $\lambda=2,94$ мкм и энергией 70 мДж в импульсе длительностью 120 нс. Для кристаллов $YAG$ обнаружено значительное изменение $I_d$ от образца к образцу ($I_d=(2,5-18)\cdot10^{10}$ Вт/см${}^2$), не связанное с примесью $Er^{3+}$, а, по-видимому, обусловленное наличием каких-то неконтролируемых примесей. Обнаружено значительное повышение $I_d$ образцов $YAG:Er^{3+}$, обладающих низкими исходными порогами разрушения, после отжига на воздухе. Для $LiNbO_3$ типичное значение $I_d\approx10^{11}$ Вт/см${}^2$. Полученные результаты указывают на достаточно высокую лазерную стойкость кри­сталлов $YAG:Er^{3+}$ и $LiNbO_3$, используемых соответственно в качестве активного и модуляционного элементов $YAG:Er^{3+}$-лазера.

УДК: 621.373.8.038.825

PACS: 61.80.-x, 42.60.He

Поступила в редакцию: 11.01.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:6, 777–778

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024