RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 6, страницы 1367–1370 (Mi qe10313)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Исследование туннельного ввода излучения в диффузные волноводы из $LiNbO_3$

Е. М. Золотов, П. Г. Казанский, В. А. Черных

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Проведен анализ туннельного возбуждения диффузных волноводов с целью оптимизации условий ввода $H-$ и $E$-волн. Рассчитан оптимальный профиль зазора между призмой и волноводом в случае “слабых” $(\Delta n\ll n)$ волноводов. Исследована зависимость коэффициента туннельного излучения от показателя преломления призмы. Предложен метод контроля формы зазора между призмой и волноводом. Экспериментально получена высокая эффективность туннельного возбуждения $H$-волн ($90\%$) и $E$-волн ($65\%$).

УДК: 621.372.826:621.315.61

PACS: 42.80.Lt

Поступила в редакцию: 18.10.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:6, 788–790

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024