RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 7, страницы 1447–1450 (Mi qe10341)

Эта публикация цитируется в 1 статье

О влиянии процессов миграции носителей на пороговые характеристики полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком

С. Л. Баженов, О. В. Богданкевич, С. А. Дарзнек, Г. А. Меерович, В. Н. Уласюк

Всесоюзный научно-исследовательский институт метрологической службы, Москва

Аннотация: На основании совместного решения уравнений для электромагнитного поля и активных частиц выполнен расчет пороговых характеристик и поперечных размеров светового пятна при накачке лазера остросфокусированным электронным пучком. Пока­зано, что при малых диаметрах электронного пучка порог возбуждения и размер области генерации определяются рассеянием электронов в процессе торможения и диффузией носителей поперек оси резонатора. Произведено сравнение результатов расчета с экспериментом.

УДК: 621.378.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 28.11.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:7, 833–835

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024