RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 9, страницы 771–772 (Mi qe1037)

Письма в редакцию

Непрерывный лазер на Cr4+:Mg2SiO4 с накачкой излучением неодимового волоконного лазера

Е. М. Диановa, И. А. Буфетовa, В. И. Карповa, М. В. Грековa, A. М. Прохоровb

a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
b Центр естественно-научных исследований Института общей физики РАН, Москва

Аннотация: Впервые получена генерация непрерывного одномодового лазера на кристалле форстерита с ионами Cr4+ при накачке излучением одномодового неодимового волоконного лазера. Накачка этого волоконного лазера осуществлялась излучением матрицы полупроводниковых лазерных диодов. Излучение лазера на Cr4+:Mg2SiO4 перестраивалось по длине волны в пределах 1.21 — 1.29 мкм. Максимальная мощность выходного излучения на длине волны λ = 1.24 мкм составила 150 мВт. Лазеры на активных средах, содержащих ионы Cr4+, с накачкой излучением волоконного лазера перспективны в качестве источника накачки для волоконных ВКР-усилителей на λ = 1.3 мкм.

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Pk

Поступила в редакцию: 11.06.1997


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1997, 27:9, 751–752

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024