О. В. Журавлева, В. Д. Курносов, В. И. Швейкин, “Воздействие радиации на GaAlAs — GaAs- и InGaAsP — InP-лазеры”, Квантовая электроника, 24:9 (1997), 773

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Лазеры

Воздействие радиации на GaAlAs — GaAs- и InGaAsP — InP-лазеры

О. В. Журавлева, В. Д. Курносов, В. И. Швейкин

Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва

Аннотация: Исследована радиационная стойкость полупроводниковых лазеров на основе GaAlAs — GaAs и InGaAsP — InP. Показано, что она уменьшается при увеличении длины волны излучения. Наибольшую радиационную стойкость имели полупроводниковые лазеры с длиной волны излучения 0.85 мкм.

PACS: 61.80.Hg, 42.55.Px

Поступила в редакцию: 03.02.1997