RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 6, страницы 1279–1290 (Mi qe10385)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Методы исследования роли поглощающих микровключений в разрушении прозрачных диэлектриков лазерным излучением. I. Пассивные методы

Р. К. Леонов, С. И. Захаров, И. А. Дмитриева, Г. М. Гандельман

Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва

Аннотация: Рассматриваются методы исследования поглощающих включений размером $d_i\lesssim3\times10^{-5}$ см в прозрачных диэлектриках. На основе исследования рассеяния света микровключениями предложен количественный критерий дискриминации включений по размерам. Разработан и экспериментально обоснован ультрамикроскопический метод измерения функции распределения включений диаметра $d_i\sim10^{-6}-3\cdot10^{-5}$ см в объеме прозрачного диэлектрика по размерам. Предложенный в работе метод применен к промышленным стеклам К8, ТФ5 и ликвирующему стеклу Na-7-B-23. Показано, что все эти стекла имеют неоднородности размера $d_i\sim 10^{-6} -10^{-5}$ см (с концентрацией $\lesssim10^{11}$ см$^{-3}$), тогда как концентрация неоднородностей размера $d_i\gtrsim3\cdot10^{-5}$ см не превышает величины $3\cdot10^{-6}$ см$^{-3}$. Построены функции распределения включений в этих стеклах по размерам.

УДК: 539.24

PACS: 61.80.-x, 42.60.He, 42.70.Ce

Поступила в редакцию: 03.07.1977


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, 8:6, 729–735


© МИАН, 2024