RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 7, страницы 1510–1515 (Mi qe10430)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Бистабильность и гистерезис статической поляризации, возникающей при освещении кристаллов лазерным излучением

В. И. Емельянов, З. Зохди

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Показано у что лазерное поле приводит к изменению статического поля Лоренца за счет перераспределения населенностей основного и возбужденного электронных состояний в кристаллах, обладающих различными дипольными моментами. Соответствующие изменения частоты перехода и диэлектрической проницаемости при определенных условиях могут носить скачкообразный характер.

УДК: 621.373.826

PACS: 77.30.+d, 42.60.He

Поступила в редакцию: 15.10.1979
Исправленный вариант: 30.12.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:7, 869–872

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024