К вопросу об измерении электронной плотности плазмы по отношению интенсивностей резонансной и интеркомбинационной линий гелийподобных ионов

Измерена электронная плотность в тонком слое магниевой лазерной плазмы, расположенном вдоль оси факела в его середине. Таким способом устраняется влияние оптической толщины на излучение резонансной линии гелиеподобного иона MgXI и значительно ослабляется вклад периферийных областей факела в излучение этого иона. Впервые в этих условиях эксперимента достигнуто соответствие между профилем электронной плотности, измеренным по отношению интенсивностей резонансной и интеркомбинационной линий He-подобного иона и профилем, измеренным по штарковскому уширению линий Н-подобного иона.