RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 7, страницы 1530–1534 (Mi qe10448)

Воздействие переменного электрического поля малой амплитуды на ЦТСЛ-керамику с «памятью»

И. Н. Компанец, А. Г. Соболев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследовано влияние переменного электрического поля на процесс переориентации доменов в сегнетоэлектрической ЦТСЛ-керамике. Проводится сравнение экспериментальных данных с расчетными.

УДК: 666.593.5:535

PACS: 77.80.Dj, 42.80.Ks

Поступила в редакцию: 18.07.1977


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, 8:7, 873–875


© МИАН, 2024