RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Квантовая электроника
// Архив
Квантовая электроника,
1978
, том 5,
номер 7,
страницы
1530–1534
(Mi qe10448)
Воздействие переменного электрического поля малой амплитуды на ЦТСЛ-керамику с «памятью»
И. Н. Компанец
,
А. Г. Соболев
Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Исследовано влияние переменного электрического поля на процесс переориентации доменов в сегнетоэлектрической ЦТСЛ-керамике. Проводится сравнение экспериментальных данных с расчетными.
УДК:
666.593.5:535
PACS:
77.80.Dj
, 42.80.Ks
Поступила в редакцию:
18.07.1977
Полный текст:
PDF файл (652 kB)
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978,
8
:7,
873–875
©
МИАН
, 2024