RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 8, страницы 1664–1669 (Mi qe10512)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Свойства планарных полосковых гетеролазеров. I. Нелинейные и разрывные ватт-амперные характеристики

А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследованы особенности ватт-амперных характеристик непрерывных планарных полосковых гетеролазеров на основе $AlGaAs/GaAs$ и влияние на них температуры $(-60\dots+60^\circ C)$ и длины резонатора диода (0,2-0,7 мм). Наблюдались ватт-амперные характеристики с нелинейностями, немонотонностями, разрывами (скачками) и петлями гистерезиса мощности излучения. Показано, что при изменении температуры особенности ватт-амперных характеристик могут существенно изменяться, причем степень нелинейности имеет тенденцию нарастать с увеличением температуры и длины резонатора. Вместе с тем отмечено, что критическая мощность ступеньки на нелинейной ватт-амперной характеристике практически не изменяется. В отличие от этого критическая мощность для появления скачков и гистерезиса мощности сильно уменьшается с температурой. Рассматривается феноменологическая модель образования петель гистерезиса на ватт-амперных характеристиках.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 21.11.1979


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:8, 963–966

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024