Быстродействующий фотодиод на основе поверхностно-барьерной структуры $Au-nn^+-GaAs$

Описана конструкция быстродействующего фотодиода на основе поверхностно-барьерной структуры $Au-nn^+-GaAs$, где активная $n$-область является эпитаксиальной пленкой, выращенной газофазным методом с концентрацией свободных элек­тронов $n=10^{14}-10^{15}$ см${}^{-3}$. Фотодиод обладает высокой чувствительностью в широком спектральном диапазоне 0,25-0,9 мкм. Монохроматическая токовая чувствительность 0,5 А/Вт при $\lambda=0,8$ мкм. Время нарастания сигнала фотоотклика достигает 100 пс при напряжении смещения до 50 В.