RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 10, страницы 2235–2237 (Mi qe10581)

Эта публикация цитируется в 20 статьях

Краткие сообщения

Выращивание и нелинейные свойства $HgGa_2S_4$

В. В. Бадиков, И. Н. Матвеев, С. M. Пшеничников, О. В. Рычик, Н. К. Троценко, Н. Д. Устинов, С. И. Щербаков


Аннотация: Получены однородные монокристаллы тиогаллата ртути $HgGa_2S_4$ диаметром 12 и длиной 40 мм с коэффициентом поглощения порядка 0,1 см${}^{-1}$. Измерены коэффициенты нелинейной восприимчивости $d_{36}(HgGa_2S_4)=1,8d_{36}(AgGaS_2)$ и $d_{31}(HgGa_2S_4)=0,6d_{36}(AgGaS_2)$.

УДК: 548:539.21

PACS: 42.70.Fh, 81.10.Fq

Поступила в редакцию: 05.04.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:10, 1300–1301

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024