RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 10, страницы 2237–2240 (Mi qe10582)

Эта публикация цитируется в 21 статьях

Краткие сообщения

Выращивание и оптические свойства системы $AgGa_{1-x}In_xS_2$

В. В. Бадиков, И. Н. Матвеев, В. Л. Панютин, С. M. Пшеничников, А. Э. Розенсон, С. В. Скребнева, Н. К. Троценко, Н. Д. Устинов


Аннотация: Исследованы условия роста и выращены монокристаллы системы $AgGa_{1-x}In_xS_2$ $(x=0,08;0,2;0,6)$, измерены коэффициенты поглощения и показатели преломления в диапазоне 0,55-11,5 мкм. Зависимость последних от длины волны аппроксимирована полиномами Селмейера; построены диаграммы фазового синхронизма для процесса смешения частот типа $oo-e$. Обсуждается влияние процентного состава галлия и индия на реализацию условий синхронизма в исследуемой системе.

УДК: 548:539.21

PACS: 42.70.Fh, 81.10.Fq

Поступила в редакцию: 05.04.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:10, 1302–1303

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024