RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 8, страницы 1771–1774 (Mi qe10593)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры на галогенидах благородных газов

Ч. П. Ванг

Аэроспэйс Корпорэйшн, Лаборатория им. И. А. Геттинга, Эль Сегундо, США

Аннотация: Приведены характеристики лазеров на галогенидах благородных газов с накачкой поперечным электрическим разрядом. Отмечается, что получена энергия в импульсе более 100 мДж и полный электрический КПД более 1% в лазерах на XeF и KrF, а также частота повторения импульсов до 400 Гц. Лазерная генерация обнаружена также на ArF, ArCl, KrCl, XeCl и XeBr.

УДК: 535-31

PACS: 42.55.Fn


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, 8:8, 1004–1006


© МИАН, 2024