Антистоксово ВКР света на поляритонах

Теоретически исследовано антистоксово ВКР света на поляритонах в нецентро-симметричных кристаллах. Оно обусловлено суперпозицией параметрических четырехфотонных и двухкаскадных трехфотонных процессов, а также трехфотонных процессов, связанных с возможным наличием тепловых поляритонных возбуждений. Эти процессы взаимно когерентны, и их вклады интерферируют. В рамках флуктуационно-диссипационной теории поляритонного ВКР найдены и проанализированы общие формулы для частотно-углового распределения интенсивности стоксова и антистоксова излучения у выходной грани плоскопараллельного кристаллического слоя при накачке заданной плоской монохроматической волной. Перестраиваемое по частоте поляритонное антистоксово ВКР, в отличие от фононного, имеет место при рассеянии под любыми углами в поляритонной области углов рассеяния. Антистоксовы процессы влияют и на стоксово рассеяние. В частности, возникает дублетная «тонкая структура» вблизи центра линии коэффициента усиления с «провалом» в одну сторону и «выбросом» в другую. Если «выброс» достаточно велик, он может фактически определять наблюдаемую линию при сильном ВКР. Антистоксовы линии, как правило, значительно ýже стоксовых, а их пиковые интенсивности того же порядка. Они также обладают дублетной структурой с «провалом» и «выбросом», ширина которой здесь порядка общей ширины линии. Спонтанное антистоксово рассеяние обусловлено только тепловыми поляритонными возбуждениями в среде.