RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 9, страницы 1990–1992 (Mi qe10680)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Гетеролазеры $GaInPAs/InP$ на основе зарощенной мезаполосковой структуры, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре на длине волны 1,24-1,28 мкм

В. В. Безотосныйab, Л. М. Долгиновab, П. Г. Елисеевab, М. Г. Мильвидскийab, Б. Н. Свердловab, Е. Г. Шевченкоab, Г. В. Шепекинаab

a Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР
b Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности, Москва

Аннотация: Созданы и исследованы непрерывные гетеролазеры на основе изопериодической системы четверных твердых растворов $GaInPAs$, изготовленных методом жидкофазовой эпитаксии на подложках $p-InP$. Лазеры работали при комнатной температуре в спектральном интервале 1,24-1,28 мкм, оптимальном для использоввния в волоконнооптических системах связи. Полосковая структура лазеров соответствовала зарощенной мезаполотовой структуре с двумерным оптическим ограничением. Наименьшим пороговым током при комнатной температуре был ток 30 мА, выходная мощность в одномодовом режиме составляла 5-7 мВт. Наивысшая рабочая температура достигала 85 ${}^\circ$С.

УДК: 621.378.3

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 02.06.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:9, 1146–1148

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024