RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 10, страницы 885–890 (Mi qe1069)

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Лазеры

Сверхизлучение в полупроводниковых лазерах

П. П. Васильев

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Обсуждаются условия получения импульсов сверхизлучения в инвертированной среде электрон-дырочных пар в полупроводнике. Показано, что в лазерных полупроводниковых усилителях с усилением αL ≫ 1 сильное оптическое усиление приводит к подавлению фазовой релаксации среды на начальных этапах развития генерации и образованию макроскопического диполя, сформированного электрон-дырочными парами. Кооперативное излучение в данной системе приводит к генерации мощного оптического УКИ усиления, который когерентно взаимодействует с полупроводниковой средой. Показано, что когерентные пульсации оптического поля, ранее наблюдавшиеся автором в полупроводниковых лазерах с модуляцией добротности, обусловлены сверхизлучением и когерентным взаимодействием поля и среды.

PACS: 42.50.Fx, 42.55.Px

Поступила в редакцию: 24.04.1997


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1997, 27:10, 860–865

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024