RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 9, страницы 1896–1903 (Mi qe10717)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Селекция линий генерации электроразрядного СО-лазера

В. П. Автономов, М. В. Завертяев, Ю. А. Кочетков, Н. Н. Очкин, Н. Н. Соболев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: С целью изучения эффективности работы СО-лазера низкого давления на одном колебательно-вращательном переходе реализована селекция линий генерации лазера с помощью дифракционной решетки и эталона Фабри–Перо в резонаторе. Сравнение мощности генерации на отдельных линиях лазеров с селективным и неселективным резонаторами показывает, что внутрирезонаторная селекция дает выигрыш в мощности в длинноволновой части спектра излучения СО-лазера.

УДК: 533.9.15

PACS: 42.55.Hq, 42.60.By

Поступила в редакцию: 23.08.1977


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, 8:9, 1074–1078


© МИАН, 2024