RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 9, страницы 2054–2057 (Mi qe10749)

Краткие сообщения

Ионно-плазменная обработка зеркал резонатора инжекционного лазера

В. Е. Борисенко, С. А. Константинова, Г. Т. Пак, Г. И. Рябцев, И. В. Яшумов

Институт физики АН БССР, Минск

Аннотация: Экспериментально показано, что ионно-плазменное удаление приповерхностных дефектных слоев с зеркальных граней инжекционных лазеров с двусторонней гетероструктурой в системе $GaAs-Al_xGa_{1-x}As$ позволяет уменьшить на 15-20% пороговую плотность тока и увеличить на 20-30% дифференциальный внешний квантовый выход генерации. Путем химического травления дефектов не удалось улучшить параметры гетеролазеров. Лазерные диоды после обработки зеркал в ионно-плазменном пучке становятся более стойкими к процессу постепенной деградации.

УДК: 621.378.35

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 11.04.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, 10:9, 1195–1196

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024