Аннотация:
Экспериментально показано, что ионно-плазменное удаление приповерхностных дефектных слоев с зеркальных граней инжекционных лазеров с двусторонней гетероструктурой в системе $GaAs-Al_xGa_{1-x}As$ позволяет уменьшить на 15-20% пороговую плотность тока и увеличить на 20-30% дифференциальный внешний квантовый выход генерации. Путем химического травления дефектов не удалось улучшить параметры гетеролазеров. Лазерные диоды после обработки зеркал в ионно-плазменном пучке становятся более стойкими к процессу постепенной деградации.