Исследование тепловых свойств лазерной диодной линейки на теплообменнике из карбида кремния

Исследованы рабочие характеристики линейки лазерных диодов на основе AlGaAs, припаянной индием к теплообменнику из SiC. Получена средняя выходная мощность 14 Вт при КПД ~25%. Тепловое сопротивление системы составило 0.05 К/Вт. Сравнение экспериментальных результатов с расчетами тепловых потоков показало, что несмотря на толстый слой припоя устройство способно отводить поток тепла в среднем в два раза больший, чем зарегистрировано в экспериментах. Расхождение экспериментальных и теоретических результатов может быть объяснено структурным несовершенством слоя припоя, характерным для использовавшегося способа соединения диодной линейки с теплообменником и электродами.Ключевые слова: линейка лазерных диодов, теплообменник из карбида кремния, расчет тепловых потоков.