Институт физики полупроводников CO АН СССР Новосибирск
Аннотация:
На основе точного решения задачи о распространении поверхностных акустических волн (ПАВ) в слоистой структуре исследовано акустооптическое взаимодействие в волноводах GaAs/GaAlAs/GaAs. Описано поведение частотной зависимости эффективности дифракции при изменении параметров волноводной структуры и длины волны оптического излучения. Представлены результаты экспериментального исследования волновода на основе GaAlAs на частотах ПАВ 103 и 522 МГц.