RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 1, страницы 72–80 (Mi qe10805)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Релаксация лазерных уровней в CO-лазере при столкновениях СО*–CN

В. Н. Очкин, Н. Н. Соболев, Э. А. Трубачеев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Осуществлена экспериментальная проверка гипотезы о протекании процесса разрушения колебательно-возбужденных молекул СО* при столкновении с радикалами CN. Расчетами экспериментально показано, что образование радикалов CN в электронно-возбужденных состояниях происходит при столкновениях с колебательно-возбужденными молекулами СО*. Сечение процесса составляет 10–13–10–14 см2. Определены населенности состояний СN (B2∑, A2∏) в зависимости от тока разряда, давления и состава лазерных смесей, условий охлаждения и наличия генерации. Показано, что в смесях, не содержащих кислород, скорость релаксации колебательной энергии молекул СО при столкновениях с CN значительна и сравнима со скоростью релаксации при спонтанном ИК-излучении, что необходимо учитывать при теоретических расчетах. В случае смесей, содержащих кислород, влияние CN на разрушение лазерных уровней несущественно, что связано с резким уменьшением концентрации CN в основном состоянии. Обсуждается влияние CN на населенности лазерных колебательных уровней.

УДК: 621.378.33

PACS: 42.60.Cy

Поступила в редакцию: 16.06.1975


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, 6:1, 38–43


© МИАН, 2024