RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 11, страницы 1017–1020 (Mi qe1083)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Наблюдение особенностей разлета лазерной плазмы в сильном поперечном магнитном поле по спектрам рентгеновского излучения

В. М. Дякинa, А. И. Магуновa, Т. А. Пикузa, И. Ю. Скобелевa, А. Я. Фаеновa, Т. Писарчикb, А. Касперчикb, Я. Воловскиb, Е. Зелинскаb

a Всероссийский научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений, п. Менделеево, Московская обл.
b Institute of Plasma Physics and Laser Microfusion, Warsaw, Poland

Аннотация: Наблюдался разлет в поперечном квазистационарном магнитном поле (B ≈ 10 Tл) плазмы фторопласта, создаваемой излучением Nd-лазера (λ = 1.06 мкм, E ≈ 6 Дж и τ ≈ 1 нс). Получены интегральные по времени двумерные изображения светимости плазмы в спектре непрерывного и линейчатого рентгеновского излучения и спектрогелиограммы линий 21P1 – 11S0 и 23P1 – 11S0 He-подобного иона FVIII. Обнаружены анизотропия излучения плазмы относительно оси разлета и изменение зависимости интенсивности от расстояния до мишени, вызванные влиянием поперечного магнитного поля на динамику плазмы.

PACS: 52.50.Jm, 52.70.La, 52.55.-s

Поступила в редакцию: 24.03.1997


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1997, 27:11, 988–991

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024