RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 11, страницы 2141–2155 (Mi qe10834)

Обзор

Интегральные оптоэлектронные схемы

Н. Н. Евтихиевab, В. Н. Морозовab

a Московский институт радиотехники, электроники и автоматики
b Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Рассмотрен современный уровень разработок интегральных оптоэлектронных схем (ИОЭС) на основе полупроводниковых структур GaAlAs/GaAs и GalnAsP/InP. Изложены новые технологии, развитые специально для ИОЭС, Приведены результаты по созданию основных компонентов ИОЭС – лазеров и фотодиодов, интегрированных с электронными схемами. Описаны оконечные модули световодных систем передачи информации, выполненные в виде ИОЭС.

УДК: 621.373.6

PACS: 85.60.Bt, 42.86.+b, 85.60.Dw, 42.60.By

Поступила в редакцию: 17.04.1987


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, 17:11, 1366–1374

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024